HY5110W HY5110 N-Channel Enhancement Mode Mosfet มอสเฟต ยี่ห้อ Huayi

Type Designator: HY5110W Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation: 500 W Maximum Drain-Source Voltage: 100 V Maximum Gate-Source Voltage: 25 V Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V Maximum Drain Current: 316 A Maximum Junction Temperature: 175 °C Total Gate Charge: 356 nC Rise Time: 49 nS Output Capacitance: 1558 pF Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.0025 Ohm Package: TO247 ชื่อสินค้า : HY5110W รหัสสินค้า : 06010002 📌มีสินค้าตามจำนวนที่ระบุ

ข้อมูลตรวจสอบล่าสุด: 20 กันยายน 2026 05:51